dU/dt引发的MOSFET误导通分析

被引：6

作者：

李典林

胡欣

机构：

[1] 电子科技大学微电子与固体电子学院

来源：

关键词：

dU/dt; 误导通; MOSFET; 寄生参数;

D O I：

10.19399/j.cnki.tpt.2006.06.013

中图分类号：

TN386 [场效应器件]; TM46 [变流器];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ; 080801 ;

摘要：

分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。

引用

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