功率晶体管热阻测试条件确定方法

被引：5

作者：

赵桧 ^{[1
]}

尹攀 ^{[2
]}

机构：

[1] 中国振华集团云科电子有限公司

[2] 无锡华润华晶微电子有限公司

来源：

电子产品可靠性与环境试验 | 2008年 / 01期

关键词：

功率晶体管; 热阻; 测试条件;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

以B2-01C(TO-3)型金属封装的3DK109E型功率开关晶体管为实验对象,研究了双极型功率晶体管热阻测试条件的确定方法。以图解的形式着重介绍了测试电流(IM)及基极-发射极电压温度系数(M)、加热脉冲持续时间(tp)、加热功率条件(VCB、IE)、测量延迟时间(td)等热阻测试条件的确定过程。

引用

页码：52 / 56

页数：5

共 5 条

[1]

Basic Semiconductor Thermal Measure-ment. DASHNEY G E. http://www.onse-mi.com/pub/couateral/AN1570-D.PDF . 2007

[2]

9624-KT Thermal ResistanceΔVBE Tester In-struction Manual. TESEC. . 2003

[3]

The Thermal Equivalent Circuit of a Transistor. STRICKLAND P R. http://www.research.ibm.com/journal/rd/031/ibmrd0301F.pdf . 2007

[4]

Transistor Junction Temperature as a Function of Time. MORTENSON K E. Proceedings of the IRE . 1957

[5]

Test Method Standard for Semi-conductor Devices,Method31314. MIL-STD-750D-1995 .

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