NAND和NOR flash技术设计师在使用闪存时需要慎重选择

被引:3
作者
ARIETAL
机构
[1] M-Systems公司
关键词
NAND; 器件; 闪存; NOR flash; 设计师;
D O I
暂无
中图分类号
TP333 [存贮器];
学科分类号
081201 ;
摘要
<正>NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
引用
收藏
页码:12 / 13
页数:2
相关论文
empty
未找到相关数据