高热导率(≥200W/m·K)AIN陶瓷的制备

被引：1

作者：

刘慧卿

刘征

机构：

[1] 北京真空电子技术研究所八室

[2] 北京真空电子技术研究所八室北京

[3] 北京

来源：

佛山陶瓷 | 2001年 / 11期

关键词：

散热; AIN瓷; 热导率; 热压烧结;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

目前,散热问题已成为电子器件的发展技术关键之一,因而选用热导率高且安全无污染的陶瓷材料成为电子器件发展的主要方向。本实验主要介绍了采用优质AIN粉体经热压烧结的方法,获得了高热导率(≥200W/m·K)且介电性能良好的AIN陶瓷的制备工艺与配方。

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