GaN材料的GSMBE生长

被引：1

作者：

王晓亮

孙殿照

李晓兵

黄运衡

朱世荣

曾一平

李晋闽

孔梅影

林兰英

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所材料中心!北京

[2] 中

来源：

高技术通讯 | 1997年 / 03期

关键词：

氮化镓; 分子束外延;

D O I：

暂无

中图分类号：

TG146.431 [];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

在国内首次用NH3作氮源的GSMB方法在α－Al2O3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0．5μm／h。GaN外延膜的（0002）双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm2／V．s。对质量好的GaN膜，室温阴极发光谱上只有一个强而锐的近带边发光峰，谱峰位于372nm处，谱峰半高宽为14nm（125meV）。

引用

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