CaS:Ce磷光体的合成及发光性质

被引:2
作者
张忠义
苏锵
吕玉华
机构
[1] 中国科学院长春应用化学研究所
关键词
CaS:Ce3+; 磷光体;
D O I
10.16533/j.cnki.15-1099/tf.1991.02.002
中图分类号
学科分类号
摘要
本文研究了不同合成条件对CaS:Ce3+磷光体发光性质的影响。CaS:Ce3+的发光强度随Ce3+离子的浓度发生变化,最佳浓度为1.001×10-3mol。对应于新的单一热释发光峰(426K)的陷阱参数为,陷阱深度E=1.01eV,逃逸频率因素S=1.2×1011s-1,磷光体的热释发光满足二级动力学过程。
引用
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[1]  
Green A. G. J. et al. Journal of Crystal Growth . 1988