拉曼光谱应用于硅微悬臂梁的应力特性测试

被引:7
作者
熊继军
张文栋
薛晨阳
桑胜波
周兆英
机构
[1] 中北大学仪器与动态测试教育部重点实验室
[2] 清华大学 太原
[3] 清华大学
[4] 北京
[5] 太原
关键词
微结构; 应力; 拉曼光谱; 悬臂梁; 质量块;
D O I
暂无
中图分类号
TH871 [金属材料试验机与仪器];
学科分类号
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要
介绍了一种基于拉曼光谱频移来实现微结构应力测试的方法。利用该方法,实现了标准体硅腐蚀工艺形成的八梁支撑的微悬臂梁中应力分布的测试。测试结果表明EPW体硅腐蚀形成的梁—质量块系统中梁与质量块上存在40~160MPa的张应力,微梁上的残余张应力平均达到100MPa;对微结构上的不同位置,边缘的残余应力普遍要比中心位置的大一些。
引用
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页码:1292 / 1295
页数:4
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[1]  
Sress Analysis of Silicon Membranes with Electroplated Permalloy Films Using Raman Scattering. Cho H J,Oh K W,Ahn C H,et al. IEEE Transactions on Magnetics . 2001
[2]  
Raman Spectroscopy: about Chips and Stress. Ingrid De Wolf. Spectroscopy Europe . 2003
[3]  
Micro-RamamMeasurementofBendingStressesinMi cromachinedSiliconFlexures. SrikarVT,SwanAK,¨UnlüMS,etal. JournalofMicroelec tromechanicalSystems . 2003
[4]  
Micro - Raman Spectroscopy to Study Local Mechanical Stress in Silicon Integrated Circuits. Ingrid De Wolf. Seed Science and Technology . 1996
[5]  
Combining High Resolution and Tensorial Analysis in Raman Stress Measurements of Silicon. Bonera E,Fanciulli M,Batchelder D N. Journal of Applied Physics . 2003
[6]  
Stress Mapping in Silicon: Advantages of Using a Raman Spectrometer with a Single Dispersive Stage. Bonera E,Fanciulli M,Batchelder D N. Applied Spectroscopy . 2002
[7]  
Modern Optical Measurement Station for Micro-Element Studies. Ska M K. Sensors and Actuators . 2002