量子阱控制极和异质谷间转移电子三极管初探

被引:1
作者
薛舫时
机构
[1] 半导体超晶格国家重点实验室南京电子器件研究所
关键词
异质谷间转移电子器件,量子阱的触发和控制功能,量子阱控制极三极管;
D O I
暂无
中图分类号
TN32 [半导体三极管(晶体管)];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要
介绍了能带混合量子阱中的多能谷混合和异质谷间转移电子效应。运用这一新物理效应设计制成了新的异质谷间转移电子器件。通过二极管的振荡和放大性能测试从实验上研究了能带混合量子阱的触发和控制功能。运用能带混合隧穿共振理论和MonteCarlo输运模拟分析了新器件的动态工作模式和量子阱控制极的控制功能。最后讨论了使用量子阱控制极的新控制功能来制作新的转移电子三极管的可能性。
引用
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共 2 条
[1]   半导体量子阱隧穿过程中的波阻抗和谷间传输比 [J].
薛舫时 .
电子学报, 1992, (11) :25-31
[2]   半导体异质结构中的谷间电子转移效应 [J].
薛舫时 .
物理学报, 1990, (06) :984-992