纳米尺度TiO2/聚吡咯多孔膜电极光电化学研究

被引：43

作者：

柳闽生

杨迈之

郝彦忠

余赪

蔡生民

李永舫

机构：

[1] 北京大学化学系!北京，

[2] 中国科学院化学研究所!北京，

来源：

高等学校化学学报 | 1997年 / 06期

关键词：

光电化学; TiO2／多孔膜／聚吡咯电极; 导电高聚物;

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

用光电流作用谱、光电流～电势图和UV－Vis光谱研究了TiO2／聚吡咯多孔膜电极在不含氧化还原对和含不同氧化还原体系电解质溶液中的光电转换过程．TiO2／聚吡咯多孔膜电极为双层n型半导体结构，内层TiO2多孔膜的禁带宽度为3．26eV，外层聚吡咯膜的禁带宽度为2．2eV用导电高聚物修饰半导体电极可使可见区光吸收增加，光电流增强，光电流起始波长红移至＞600nm，使定禁带半导体电极的光电转换效率得到改善．

引用

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