脑外伤后伪装认知功能损伤者事件相关电位研究

被引：10

作者：

高北陵

吴冬凌

李学武

梁伟德

丁树明

机构：

[1] 深圳市精神卫生研究所法医精神科

来源：

中国神经精神疾病杂志 | 2007年 / 10期

基金：

广东省自然科学基金;

关键词：

脑外伤; 认知功能; 伪装; 事件相关电位;

D O I：

暂无

中图分类号：

D919.4 [法医鉴定学];

学科分类号：

030104 [刑法学];

摘要：

目的探讨检测伪装认知功能损伤的神经电生理技术。方法鉴定专家结合临床检查及二项必选数字记忆测验对193例脑外伤后精神伤残鉴定进行评估,区分出伪装认知功能损伤者52例与非伪装者120例为研究对象,通过高低音听觉刺激高低概率范式(oddball)引发事件相关电位,并同步记录被试判断高低音的正确率,分析伪装与非伪装组事件相关电位相关参数的差异。结果①伪装组在P300之后的负慢波潜伏期显著短于非伪装组[(412.0±181.6)msvs(424.0±170.1)ms,Z=3.25,P=0.001];而波幅也大于非伪装组,但未达到统计学意义(P>0.05)。②伪装组P300潜伏期短于非伪装组,而波幅大于非伪装组,但差异未达到统计学意义(P>0.05)。③伪装组听觉高低音判断的正确率显著低于非伪装组[(79.2±19.8)%vs(93.1±9.3)%,t=5.195,P<0.001〗。结论伪装认知功能损伤者客观脑电生理反应(潜伏期短,波幅大)与其主观行为表现(判断高低音的正确率低)的"矛盾现象"可以作为伪装认知功能损伤的判断依据之一。

引用

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页数：3

共 11 条

[1]

认知事件相关脑电位教程.[M].魏景汉;罗跃嘉主编;.经济日报出版社.2002,

[2]

大脑高级功能的神经电生理.[M].杨文俊主编;.中国科学技术出版社.1998,

[3]

伪装与非伪装认知功能损伤事件相关电位P300比较研究 [J].