几种极性有机晶体的生长习性与形成机理 Ⅱ.分子堆积、界面结构与晶体的习性

被引:7
作者
王步国
施尔畏
仲维卓
机构
[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所
[2] 中国科学院上海硅酸盐研究所 上海
[3] 上海
基金
国家攀登计划;
关键词
极性有机晶体; 极轴; 界面结构; 溶剂效应; 习性调制;
D O I
暂无
中图分类号
O782 [晶体生长工艺];
学科分类号
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
摘要
极性有机晶体在不同的溶剂中具有明显不同的生长习性,主要有两个方面的原因:一是极性有机晶体属非中心对称性晶类,晶体具有极轴,极轴的存在对分子堆积和晶体生长具有重要影响;另一是极性有机晶体的界面结构不同,溶剂与晶体界面的相互作用不同,使得晶体同一面族的生长速率不同,从而导致了晶体习性的改变.本文从几种典型极性有机晶体的分子排列和结构特征出发,着重探讨了极性有机晶体的界面结构的差异对晶体习性的影响;结合晶体生长界面与溶剂分子的相互作用进一步理解了晶体生长的溶剂效应;通过理解极性有机晶体的习性机制,探讨了晶体实际形态的控制.
引用
收藏
页码:320 / 327
页数:8
相关论文
共 12 条
[1]  
E.N.Duesler,R.B.Kress,C.T.Lin,W.I.Shiau,I.C.Paul,D.Y.Curtin,J.Am. Chemical Society Reviews . 1981
[2]  
TECHNOLOGY[P]. 英国专利:GB8602522D0,1986-04-16
[3]  
Z.Berkovitch-Yellin,J.Am. Chemical Society Reviews . 1985
[4]  
R.J.Davey,B.Milisavljevic,J.R.Bourne,J.Phys. Chemtracts . 1988
[5]  
D.Y.Curtin,I.C.Paul,Chem. Review . 1981
[6]  
TECHNOLOGY[P]. 英国专利:GB8602522D0,1986-04-16
[7]  
Z.Berkovitch-Yellin,J.van Mil,L.Addadi,M.Idelson,M.Lahav,L.Leiserowitz,J.Am. Chemical Society Reviews . 1985
[8]  
B.Yu Shekunov,E.E.A.Shepherd,J.N.Sherwood,G.S.Simpon,J.Phys. Chemtracts . 1995
[9]  
Growth[P]. 英国专利:GB0113292D0,2001-07-25
[10]  
C.P.Brock,J.D.Dunitz,Chem. Mater . 1994