磁控溅射SiC/W纳米多层膜的微结构研究

被引:4
作者
杨晓豫
蔡珣
李莹
张流强
机构
[1] 上海交通大学材料科学系!上海
关键词
纳米多层膜; 小角度X射线衍射(LXD); 界面微结构; 调制波长;
D O I
10.13922/j.cnki.cjovst.1997.06.006
中图分类号
TB383 [特种结构材料];
学科分类号
070205 ; 080501 ; 1406 ;
摘要
用磁控溅射法在Si基底上制备了不同调制波长的SiC/W纳米多层膜。利用小角度X射线衍射技术(LXD),详细研究了其中典型的多层膜的调制周期性,各子层的厚度及界面平整度等界面微观结构。结果表明:磁控溅射法制备的纳米多层膜具有较好的周期结构及陡峭的界面梯度,由衍射峰位置计算出的界面不均匀度与子层厚度之比一般在5%以内。另外,对于小角度X射线衍射谱线中的所谓峰分裂现象进行了分析和计算。
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共 1 条
[1]   反应溅射生长的a-Si:H/a-Ge:H超晶格光学性质研究 [J].
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半导体学报, 1991, (12) :755-758