下一代光刻技术——压印光刻

被引：15

作者：

丁玉成

刘红忠

卢秉恒

李涤尘

机构：

[1] 西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室

来源：

机械工程学报 | 2007年 / 03期

关键词：

集成电路; 下一代光刻技术; 压印; 光刻;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

通过分析集成电路制造工艺中的核心环节——光刻技术,采用机械微复形原理的压印光刻技术可避免传统光学光刻的光学衍射限制,能够对最小到6 nm特征尺寸的图形进行复制。通过研究压印光刻原理,详细分析对比热压印及常温压印的工艺特点、复形面积、模具结构和阻蚀胶固化过程等,揭示出常温压印更适用于多层套刻的图形制作。针对基于紫外光固化的常温压印光刻工艺在压印过程中的关键技术:阻蚀胶成膜控制、对准、套刻、精确加载、留膜厚度控制、阻蚀胶固化控制等进行深入研究,提出释放保形软压印工艺,能够实现基于常温软模具压印的大面积亚100 nm级特征尺寸图形的复制。最后,以SIL-(?)型分步式常温紫外光固化压印光刻机的研究为例,对其结构特性做出深入分析,估算出系统的精度等级;通过试验,对系统的压印复形精度做出评估。

引用

页码：1 / 7

页数：7

共 17 条

[1]

Nanotechnology[P]. COLLI ALAN[GB];WHITE RICHARD[GB].中国专利:US2012038409A1,2012-02-16

[2]

Large scale ultraviolet-based nanoimprint lithography. VRATZOV B,FUCHS A,KURZ H. J.Vac.Sci. Technol.B . 2003

[3]

Silicon single-electron quantum- dot transistor switch operating at room temperature. ZHUANG L,CHOU Y. J. Appl.Phys.Lett . 1998

[4]

Imprint lithography with sub-10 nm feature size and high throughput. CHOU Y,KRAUSS R. J.Microelectronic Engineering . 1997

[5]

Silicon single- electron and single-hole quantum-dot-transistors. CHOU Y,KRAUSS R,RENSTROM J. Applied Physics Letters . 1995

[6]

Ultrafast and direct imprint of nanostructures in silicon. CHOU Y,KEIMEL C. Journal of Natural Rubber Research . 2002

[7]

Mask definition by nanoimprint lithography and dry etch pattern transfer//Proc. LYEBYEDYEV D,SCHULZ H,SCHEER C. . 2001

[8]

Extendibility of proximity x-ray lithography to 25nm and below. EIJIRO T,MASAKAZU W. Journal of Vacuum Science and Technology . 2002

[9]

Sub 70 nm extreme ultraviolet lithography at the advanced light source static microfield exposure station using the engineering test stand set-2. NAULLEAU P,GOLDBER K A,ANDERSON E H. Journal of Vacuum Science and Technology . 2002

[10]

Characterization and application of a UV-based imprint technique. OTTO M,BENDER M,HADAM B. J. Microelectronic Engineering . 2001

← 1 2 →