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MOSFET模型&参数提取
被引：6
作者：
李庆华
韩郑生
海潮和
机构：
[1] 中国科学院微电子中心
[2] 中国科学院微电子中心 北京
[3] 中国科学院研究生院
[4] 北京
来源：
关键词：
MOSFEX;
BSIM;
模型;
参数提取;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN386.1 [金属-氧化物-半导体（MOS）器件];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口 ,对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义。本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型 ,并着重探讨了使用自动参数提取软件提取一套准确的模型参数的具体工作步骤。
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页数：7
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