高光束质量大功率半导体激光阵列的热特性

被引：12

作者：

王智群 ^{[1
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尧舜 ^{[2
]}

崔碧峰 ^{[1
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王智勇 ^{[2
]}

沈光地 ^{[1
]}

机构：

[1] 北京工业大学光电子技术实验室

[2] 北京工业大学激光工程研究院

来源：

中国激光 | 2010年 / 37卷 / 10期

关键词：

激光器; 半导体激光阵列; 热阻; 高光束质量;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248.4 [半导体激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

针对目前大功率半导体激光短阵列器件和多个半导体激光单元器件集成结构应用于全光纤结构光纤激光器的发展趋势及其相关热控制理论的缺乏,利用有限元软件ANSYS对基于标准传导热沉散热结构的高光束质量半导体激光阵列(LDA)进行热特性仿真计算,通过改变阵列内部发光单元间距、发光单元数,将传统高填充因子厘米阵列(cm-bar)结构过渡到短阵列器件或多单元集成器件热模型,其热特性,为这种具有高光束质量的新型器件的设计及其高性能、长寿命散热提供了理论基础。

引用

页码：2497 / 2501

页数：5