高能电子辐照硅阻尼二极管trr的稳定性研究

被引：6

作者：

杭德生

机构：

[1] 南京大学物理系

来源：

半导体杂志 | 1994年 / 02期

关键词：

电子辐照，阻尼二极管;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN315.2 [];

学科分类号：

摘要：

本文研究结果表明：电子辐照硅阻尼二极管ｔｒｒ的稳定性取决于辐照电子能量和热处理条件。

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共 1 条

[1] 12MeV电子辐照技术在功率开关二极管制造工艺中的应用 [J].

杭德生 .

电子工艺技术, 1986, (10) :5-9