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非晶硅薄膜晶化与结构特性的研究
被引：14
作者：
何宇亮
刘湘娜
机构：
[1] 南京大学物理系
来源：
关键词：
晶硅薄膜;
非晶硅膜;
结构特性;
晶化;
CVD;
衍射峰;
温度范围;
晶化温度;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
本文采用TED、SEM和X光谱分析法研究了在550～750℃范围内用常压CVD法生长非晶硅薄膜的晶化和结构特性。指出了CVD非晶硅的晶化温度是680±10℃。在晶化温度以下的温度范围内,非晶硅的生长激活能为0.44eV;在晶化温度以上多晶硅的生长激活能为1.78eV。在由非晶硅向多晶硅转变过程中存在着具有准无序结构的微晶区域。
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