共 1 条
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半导体光学性质[M]. 科学出版社 , 沈学础著, 1992
Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性
被引：7
作者：
朱顺明
叶建东
顾书林
刘松民
郑有炓
张荣
施毅
机构：
[1] 江苏省光电功能材料重点实验室
[2] 南京大学物理系
[3] 南京大学物理系 南京
[4] 南京
来源：
关键词：
氧化锌;
掺杂;
Burstein-Moss效应;
能带重整化;
金属有机化学气相外延;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304 [材料];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO∶Ga单晶薄膜,并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响.当Ga/Zn气相摩尔比为3.2at%时,ZnO(0002)峰半高宽仅为0.26°,载流子浓度高达2.47×1019cm-3,透射率高于90%;当载流子浓度升高时,吸收边出现明显的Burstein-Moss蓝移效应.同时室温光致发光谱显示,紫外峰位随载流子浓度的增加而发生红移,峰形展宽,这和Ga高掺杂所引起的能带重整化效应有关.当Ga/Zn比达到6.3at%时,由于高掺杂浓度下Ga的自补偿效应导致载流子浓度下降.
引用
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页码：1567 / 1571
页数：5
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