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电子束法沉积ITO薄膜及其光电性质的研究
被引：12
作者：
张瑞峰
肖树义
机构：
[1] 中国科学院长春应用化学应用研究所
来源：
关键词：
电子束法;
形貌;
电子束蒸发;
ITO;
光电性质;
D O I：
10.19912/j.0254-0096.1983.02.006
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
用电子束蒸发制得了透明导电的ITO（indiumtin oxide）薄膜(厚3000—5000（?）),其方块电阻为4.5—20Ω/□,波长7000（?）时的透光率为80—95％。用x-线衍射分析方法测定了膜的组成与结构,用扫描电镜（SEM）观察了薄膜的形貌。薄膜的颗粒度为1—3μm,载流子浓度（N）为3.9×1019cm-3,霍耳迁移率（μH）为94cm2·V-1·s-1,电阻率（ρ）为4.0×0-4—2×10-3Ω·cm,Eg为3.4eV。测得的Hall电压是负值,说明它是一种n型半导体。
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页码：158 / 162
页数：5
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