Al-Si共晶合金变质机理的探讨——添加元素对Al-Ge和Al-Si-Ge共晶合金显微结构的影响

被引：6

作者：

张启运

刘淑祺

樊晓红

机构：

[1] 北京大学化学系

来源：

金属学报 | 1982年 / 05期

关键词：

Al-Si-Ge; 添加元素; 共晶合金; 复合材料; 共晶点; Ge; 显微结构; Si;

D O I：

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摘要：

用金相方法考察了微量添加元素对Al-Ge和Al-Si-Ge共晶合金显微结构的影响。ⅡB,ⅢA,ⅣA和ⅤA族元素对Al-Ge共晶结构并无影响;ⅣB,ⅤB和ⅥB族难熔金属影响较大,共晶Ge聚集为大块的结晶;碱金属,碱土金属和一些VⅢ族金属的加入,使Al-Ge共晶点向富Al方向移动。Al-Ge共晶不出现类似Al-Si共晶的那种变质现象.Al-Si-Ge系变质时,Si以变质的共晶团存在。根据Al-Ge和Al-Si结晶过程的对比,认为Al-Si共晶的变质,主要取决于变质剂原子对（100）Al∥（110）Si外延关系的影响。

引用

页码：581 / 585+652 +652-653

页数：7