适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析

被引：2

作者：

王芳

杨保和

机构：

[1] 天津理工大学光电信息系

来源：

光电子·激光 | 2005年 / 01期

基金：

天津市自然科学基金;

关键词：

ZnO薄膜; 射频磁控溅射; 声表面波(SAW)器件; 退火; C轴取向;

D O I：

10.16136/j.joel.2005.01.008

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。

引用

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