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掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器
被引：4
作者：
张永刚，单宏坤，周平，富小妹，潘慧珍
机构：
[1] 中国科学院上海治金研究所微电子学分部
来源：
关键词：
光电探测器；光电集成；金属有机物气相外延;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN366 [光转换器];
学科分类号：
0803 ;
摘要：
采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓＭＳＭ光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于１０Ｖ，２Ｖ偏压下暗电流为１７０ｎＡ，对应的暗电流密度约为３ｍＡ／ｃｍ２；瞬态响应中上升时间ｔｒ为２１ｐｓ，半高宽ＦＷＨＭ为７５ｐｓ。
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页码：223 / 225
页数：3
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