图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制

被引：12

作者：

张俊兵 ^{[1
]}

林岳明 ^{[2
]}

范玉佩 ^{[1
]}

王书昶 ^{[1
]}

曾祥华 ^{[1
]}

机构：

[1] 扬州大学物理科学与技术学院

[2] 扬州华夏集成光电有限公司

来源：

光电子激光. | 2010年 / 21卷 / 03期

关键词：

GaN基发光二极管(LED); 图形蓝宝石衬底(PSS); 光提取效率; ICP;

D O I：

10.16136/j.joel.2010.03.013

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。

引用

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