特定消谐式谐波抑制技术中过渡过程的分析

被引：4

作者：

佟为明

陈向阳

翟国富

徐会明

机构：

[1] 哈尔滨工业大学

来源：

关键词：

谐波,抑制,死区,过渡过程;

D O I：

10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.1998.03.005

中图分类号：

O455,TM712 [];

学科分类号：

摘要：

分析了特定消谐式谐波抑制技术（ＳＨＥＴ）过渡过程中死区时间、ＩＧＢＴ的开关时间对谐波幅值的影响，归纳了可采用的加入死区时间的几种方式，得出了对ＳＨＥＴ的应用具有工程指导意义的结论，为使ＳＨＥＴ更快，更好地应用于工程实际奠定了一定的基础。

引用

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