栅耦合型静电泄放保护结构设计

被引：8

作者：

王源

贾嵩

孙磊

张钢刚

张兴

吉利久

机构：

[1] 北京大学微电子研究院

来源：

物理学报 | 2007年 / 12期

关键词：

静电泄放; 栅耦合; 金属氧化物半导体场效应管; 压焊块电容;

D O I：

暂无

中图分类号：

O441.1 [电学];

学科分类号：

摘要：

提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题,而且节省了版图面积,提高了ESD失效电压.0.5μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明,该结构人体模型ESD失效电压超过8kV.给出了栅耦合型ESD保护结构中ESD检测结构的设计方法,能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值.

引用

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