掠入射、全反射及其在X射线荧光分析中的应用

被引：2

作者：

刘亚雯

机构：

[1] 中国科学院高能物理研究所北京

来源：

关键词：

全反射现象; 微量元素; 反射体; 临界角; 痕量元素; 射线荧光分析; 掠入射;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

掠入射、全反射技术应用于化学的微量及超微量元素分析和表面分析，给X射线荧光分析技术带来了突破性的发展．目前，利用全反射X荧光分析技术对微量元素进行分析，其检测限已达到ｐg级，硅片表层杂质分析的检测限达到10９个原子／ｃｍ２．文章介绍了该技术的基本理论和特点、近年来国内外发展情况及应用的例子．

引用

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