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Ab initio pseudopotential studies of the pressure dependences of structural; electronic and optical properties for GaN[J] G.Y. Gao;K.L. Yao;Z.L. Liu;Y.L. Li;Y.C. Li;Q.M. Liu Solid State Communications 2006,
纤锌矿GaN光电性质的第一性原理研究
被引：29
作者：
陆稳
雷天民
机构：
[1] 西安电子科技大学技术物理学院
来源：
关键词：
GaN;
光电性质;
第一性原理;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.2 [化合物半导体];
学科分类号：
080906 [电磁信息功能材料与结构];
摘要：
利用平面波赝势密度泛函的方法,结合广义梯度近似,对纤锌矿GaN的光电性质进行了研究。对纤锌矿GaN的能带结构、态密度分布、复介电函数和吸收光谱进行了计算。文中分析了纤锌矿结构GaN晶体可能的跃迁及其对应的吸收光谱。结果显示GaN晶体的光学性质与晶体的电子结构直接相关。计算结果为进一步理解和改进纤锌矿GaN的光电性质提供理论基础。
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