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掺硼ZnO压敏电阻器的研究
被引:4
作者
:
霍建华
论文数:
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0
机构:
西安无线电二厂
霍建华
郭亚平
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机构:
西安无线电二厂
郭亚平
刘琳娜
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机构:
西安无线电二厂
刘琳娜
机构
:
[1]
西安无线电二厂
来源
:
传感器技术
|
1998年
/ 06期
关键词
:
ZnO压敏电阻器,电位梯度,热处理;
D O I
:
10.13873/j.1000-97871998.06.005
中图分类号
:
TM544.5 [];
学科分类号
:
080801 ;
摘要
:
中压ZnO压敏电阻器是ZnO压敏电阻器的研究难点之一。通过对硼加入量的研究,很好地解决了这一骓题。试验发现,随着硼加入量的增加,电位梯度降低,热处理的作用变得比较明显,而热处理对ZnO陶瓷的稳定性及大电流冲击特性很有帮助,用X衍射分析法揭示了掺硼系ZnO压敏陶瓷内部结构,由此获得了性能良好的中压ZnO压敏电阻器。
引用
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页码:17 / 19
页数:3
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