低压ZnO压敏电阻器性能的改善

被引：3

作者：

范坤泰

韩述斌

吴德喜

机构：

[1] 山东工业大学

来源：

关键词：

压敏电阻器,低压敏电压,ZnO,掺杂,热处理,性能;

D O I：

10.14106/j.cnki.1001-2028.1998.05.014

中图分类号：

TM54 [电阻器、电位器];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

制作低压ＺｎＯ压敏电阻器的一般方法是添加晶粒助长剂ＴｉＯ２。这样做虽然可降低梯度电压Ｖ１ｍＡ／ｍｍ，但同时也增大了漏电流ＩＬ，降低了元件的稳定性。在掺入ＴｉＯ２，使Ｖ１ｍＡ／ｍｍ下降的同时，适量掺入硼并在８５０℃下进行热处理，可改善小电流特性和非线性，减小ＩＬ，提高稳定性。

引用

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