化学机械抛光用SiO2研磨料的制备及其后处理

被引：6

作者：

王娟

刘玉岭

檀柏梅

李薇薇

机构：

[1] 河北工业大学微电子研究所,河北工业大学微电子研究所,河北工业大学微电子研究所,河北工业大学微电子研究所,,,

来源：

关键词：

化学机械抛光; 硅溶胶; 制备; 纯化;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

以水玻璃为主要原料、采用多次生长法,低zeta电位生长、高电位陈化等控制过程,生产出具有不同粒径、稳定的碱性单分散硅溶胶产品,并实现120nm大粒径硅溶胶生长可控,突破生长大粒径的难题。并采用离子交换法对产品进行处理,使其金属离子含量降到10-6级,符合微电子工业对相关耗材的要求。

引用

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