ZrO2薄膜残余应力实验研究

被引：27

作者：

邵淑英

范正修

范瑞瑛

邵建达

机构：

[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心,中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心,中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心,中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心上海,上海,上海,上海

来源：

光学学报 | 2004年 / 04期

关键词：

薄膜物理; 残余应力; ZrO2薄膜; 沉积温度; 沉积速率;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

摘要：

采用ZYGOMarkⅢ GPI数字波面干涉仪对电子束蒸发方法制备的ZrO2 薄膜中的残余应力进行了研究 ,讨论了沉积温度、沉积速率等工艺参量对ZrO2 薄膜残余应力的影响。实验结果表明 :随着沉积温度及沉积速率的升高 ,ZrO2 薄膜中残余应力状态由张应力变为压应力 ,且压应力值随着沉积温度升高而增大。同时用X射线衍射技术测量分析了不同沉积条件下ZrO2 薄膜的微结构组织 ,探讨了ZrO2 薄膜微结构与其应力的对应关系

引用

页码：437 / 441

页数：5

共 4 条

[1]

Stress and strain in the vacuum deposited thin films. Tamulevicius S. Vacuum . 1998

[2]

Mechanical stress and thermal-elastic properties of oxide coatings for use in the deepultraviolet spectral region. Thielsch R,Gatto A,Kaiser N. Applied Optics . 2002

[3]

Influence of sputtering power and the substrate-target distance on the properties of ZrO2 films prepared by RF reactive sputtering. Gao Pengtao,Meng L G,dos Santos M P. Thin Solid films . 2000

[4]

Influence of substrate temperature and target composition on the properties of yittastabilized thin films grown by R F.reactive magnetron sputtering. Boulouz M,Boulouz A,Giani A et al. Thin Solid films . 1998

← 1 →