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铜的气体表面渗硅新工艺研究
被引：4
作者：
甘正浩
毛志远
沈复
初郦剑
叶必光
机构：
[1] 浙江大学
来源：
关键词：
气体表面渗硅，表面改性，气相沉积，扩散;
D O I：
10.14136/j.cnki.issn1673-2812.1996.04.009
中图分类号：
TG146.11 [];
学科分类号：
080502 ;
摘要：
本文研究了纯铜的气体表面渗硅新工艺，也即在含硅气氛下低温沉积和扩散表面改性的工艺研究情况，介绍了各实验参数对渗硅层厚度和性能的影响
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