半导体三极管电磁脉冲损伤功率实验研究

被引：2

作者：

杨建光 ^{[1
]}

武占成 ^{[2
]}

机构：

[1] 张家口职业技术学院基础部

[2] 军械工程学院静电与电磁防护研究所

来源：

电源技术 | 2009年 / 33卷 / 07期

关键词：

半导体三极管; 方波电磁脉冲; 损伤功率; 损伤能量;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN32 [半导体三极管（晶体管）];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

针对硅微波低噪声三极管2SC3399进行方波电磁脉冲效应实验,主要研究三极管在方波电磁脉冲作用下造成损伤的损伤功率表达式,通过对损伤功率进行统计分布,发现三极管损伤能量值基本符合正态分布。

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页码：611 / 614

页数：4

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