离子束刻蚀工艺误差对DOE器件的影响

被引：5

作者：

刘强 ^{[1
]}

张晓波 ^{[1
]}

邬融 ^{[1
]}

田杨超 ^{[2
]}

李永平 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国科学技术大学物理系

[2] 中国科学技术大学国家同步辐射实验室

来源：

光电工程 | 2007年 / 11期

关键词：

衍射光学元件; 误差面形; 掩模套刻; 离子束刻蚀;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN241 [激光物理和基本理论];

学科分类号：

0702 ; 070207 ;

摘要：

针对衍射光学元件(DOE)的离子束刻蚀工艺,结合掩模套刻过程实例,本文提出了刻蚀误差面形分布的概念。在标量衍射的夫琅和费原理上,进行了误差数值模拟分析及讨论。模拟分析和实验数据结果表明,误差的面形分布在DOE器件的衍射焦斑中心会产生一个明显的光强畸变毛刺亮点,严重破坏了靶场照明的均匀性。

引用

页码：50 / 54+60 +60

页数：6

共 7 条

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