用于非晶硅太阳电池的p型a-SiC:H:B窗口材料及其前后界面的研究

被引：4

作者：

耿新华

孟志国

王广才

孙云

陆靖谷

孙钟林

机构：

[1] 南开大学电子科学系

[2] 南开大学电子科学系天津

[3] 天津

来源：

关键词：

非晶硅太阳电池; 光带隙; 电导率; 过渡层; 电池特性; SIC; 电性; 地层; a-SiC; 填充因子; 开路电压; 接触特性;

D O I：

10.19912/j.0254-0096.1992.02.006

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文报道了非晶硅p-i-n结构太阳电池窗口材料a-Si C∶H∶B及其前后界面SnO2膜和本征a-Si∶H膜的研究结果。太阳电池的这三部分与性能参数Voc、Isc和FF直接有关,界面性质在一定程度上也影响太阳电池的稳定性。

引用

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