一种改进单行载流子光探测器高速性能的新方法

被引：3

作者：

郭丽庆

黄永清

机构：

[1] 北京邮电大学信息光子学与光通信研究院

来源：

新型工业化 | 2012年 / 2卷 / 05期

关键词：

高斯掺杂; InGaAs耗尽区;

D O I：

10.19335/j.cnki.2095-6649.2012.05.005

中图分类号：

TN15 [光电器件、光电管];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

单行载流子光探测器(UTC-PD)是一种只采用电子作为有源载流子的高速光探测器。本文研究了一种UTC-PD的吸收层采用高斯掺杂方式形成内建电场从而提高探测器高速性能的新方法。采用漂移-扩散理论分析了单行载流子光探测器(UTC-PD)的光响应特性,对影响探测器性能的因素进行分析,利用器件仿真器ATLAS对吸收层采用高斯掺杂的UTC-PD和吸收层采用均匀掺杂的UTC-PD能带结构和性能进行仿真比较。根据仿真结果显示,吸收层采用Gaussian掺杂的UTC-PD的带宽为74GHz,是吸收层采用均匀掺杂的UTC-PD的1.8倍。

引用

页码：39 / 46

页数：8

共 3 条

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