两种结构GaN基太阳盲紫外探测器

被引：4

作者：

李雪 ^{[1
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陈俊 ^{[1
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何政 ^{[1
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赵德刚 ^{[2
]}

龚海梅 ^{[1
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方家熊 ^{[1
]}

机构：

[1] 传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所

[2] 中国科学院半导体研究所

来源：

激光与红外 | 2006年 / 11期

关键词：

太阳盲区; 肖特基; PIN; 紫外探测器;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN23 [紫外技术及仪器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

分别在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)生长的i-A l0.33Ga0.67N/A lN/n-GaN和p-A l0.45Ga0.55N/i-A l0.45Ga0.55N/n+-A l0.65Ga0.35N的异质结构上,成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。研究结果表明,Au与i-A l0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结,响应波长从250～290nm,峰值(286nm)响应率约为0.08A/W;PIN型紫外探测器的响应波长从230～275nm,峰值(246nm)响应率约为0.02A/W。

引用

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