无症状性多发腔隙性脑梗死事件相关电位与认知的相关性

被引：8

作者：

陈运平

梅元武

俞善纯

张茂悦

机构：

[1] 华中科技大学同济医学院附属协和医院神经内科

来源：

中国临床康复 | 2003年 / 05期

关键词：

脑梗塞; 诱发电位; 认知障碍;

D O I：

暂无

中图分类号：

R743.33 [脑栓塞];

学科分类号：

摘要：

目的:探讨事件相关电位(ERP)对无症状性多发腔隙性脑梗死患者认知功能障碍的诊断价值。方法:检测16例无症状性多发腔隙性脑梗死患者的事件相关电位并与正常对照组进行比较。结果:无症状性多发腔隙性脑梗死组ERP的N1,P2,N2,P3潜伏期和P3波幅分别为(83±15)、(155±18)、(242±37)、(359±33)ms和(7±3)μV。与正常对照组比较,两组ERP的N2、P3潜伏期间有显著性差异(P<0.01),而N1、P2潜伏期及P3波幅间无显著性差异(P>0.05)。结论:无症状性多发腔隙性脑梗死患者可伴有认知功能的损害,事件相关电位检测为无症状性多发腔隙性脑梗死患者的认知功能障碍的评定提供了一种敏感、客观的检查手段。

引用

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