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晶体硅太阳电池串联内阻的函数形式
被引:11
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
程晓舫
李坚
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中国科学技术大学热科学和能源工程系
李坚
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
余世杰
机构
:
[1]
中国科学技术大学热科学和能源工程系
[2]
合肥工业大学能源研究所 合肥
[3]
合肥
来源
:
太阳能学报
|
2004年
/ 03期
关键词
:
晶体硅太阳电池;
串联内阻;
函数形式;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM914 [光电池];
学科分类号
:
080502 ;
摘要
:
在已知的四种电阻函数形式中,通过理论推导并结合晶体硅太阳电池功率随着温度上升而下降的实验事实,理论证明晶体硅太阳电池串联内阻具有正温度系数半导体型电阻的数学表述形式。利用该数学形式对实测内阻数据进行拟合,结果令人满意。
引用
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页码:345 / 349
页数:5
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热敏电阻器.[M].徐开先;叶济民 编.机械工业出版社.1981,
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