绝缘介质中载流子注入与传导的机理

被引：6

作者：

周力任 ^{[1
]}

吴广宁 ^{[1
]}

罗杨 ^{[1
,2
]}

机构：

[1] 西南交通大学电气工程学院

[2] 西南交通大学材料科学与工程学院

来源：

材料科学与工程学报 | 2010年 / 28卷 / 01期

关键词：

肖特基效应; 普尔-弗兰凯尔效应; 隧穿效应; 离子跳跃传导; 空间电荷限制电流;

D O I：

10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2010.01.034

中图分类号：

TM21 [绝缘材料、电介质及其制品];

学科分类号：

0805 ; 080502 ; 080801 ;

摘要：

本文分析了与绝缘介质老化、失效过程密切相关的载流子注入与传导机理,包括具有电极限制特性的肖特基效应、具有体限制特性的普尔-弗兰凯尔效应、隧穿效应、离子跳跃传导以及空间电荷限制电流。研究结果表明:由普尔-弗兰凯尔效应引起的势垒降低的高度是由肖特基效应降低的势垒高度的两倍。如果In(I/E2)-1/E特性关系始终是线性的,说明载流子是由隧穿效应注入介质中的。在高电场下,离子跳跃传导的J-E特性曲线是一条斜率为eλ/2kT的直线,并可由此斜率计算得到离子跳跃的距离。由空间电荷限制电流的J-V特性可以确定临界电压,即电流从陷阱限制值迅速跳高至无陷阱的空间电荷限制电流值的电压。

引用

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