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金刚石薄膜半导体器件
被引：16
作者：
范建兴
陈启秀
机构：
[1] 浙江大学信电系功率器件研究所
来源：
关键词：
金刚石薄膜,半导体器件,性能;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN321.504.18 [];
学科分类号：
摘要：
介绍了金刚石薄膜的性质、当今金刚石薄膜半导体器件的技术、水平和性能。分析了金刚石薄膜作为半导体器件的优异性能、金刚石相对于硅的半导体器件性能的改善和存在的问题，并指出实现金刚石薄膜半导体器件的障碍。
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页数：7
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