SiOx∶H(0＜x＜2)薄膜光致发光的退火行为研究

被引：8

作者：

马智训 ^{[1
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廖显伯 ^{[1
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何杰 ^{[1
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程文超 ^{[1
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岳国珍 ^{[1
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王永谦 ^{[1
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刁宏伟 ^{[1
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孔光临 ^{[1
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机构：

[1] 中国科学院半导体研究所

来源：

物理学报 | 1998年 / 06期

关键词：

退火温度; 微结构; 土壤结构; 光致发光谱; SiO_x; x<2; 室温光致发光; 光强; 发光强度; 非晶硅; 红外谱;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.41 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

采用退火后处理的方法，使ＳｉＯｘ∶Ｈ（０＜ｘ＜２）形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构．利用红外透射谱、Ｒａｍａｎ谱和光致发光谱，系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响．发现发光谱均由两个Ｇａｕｓｓ线组成，其中主峰随着退火温度的升高而红移，而位于８３５ｎｍ的伴峰不变．指出退火前在７２０—６１０ｎｍ的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团，随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大．而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷．１１７０℃退火后在８５０ｎｍ附近出现强的谱带与纳米硅的析出有关，支持了量子限制效应发光模型．

引用

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