InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器

被引：7

作者：

黄钊洪

机构：

[1] 华南师范大学量子电子学研究所!广东广州

来源：

传感器技术 | 2001年 / 07期

基金：

广东省自然科学基金;

关键词：

锑化铟; 共晶体; 磁敏电阻; 电流传感器;

D O I：

10.13873/j.1000-97872001.07.003

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ,输出电压在约 1V至约 3 .5V范围内变化 ,并且两者之间有比较好的线性关系 ,标准偏差 <0 .0 2。输出信号电压与本底噪声之比是 (2 4～ 46 ) :1。

引用

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