64kB电可擦除只读存储器研究与设计

被引:2
作者
杜支华
陶宇峰
王晓玲
陈芳
机构
[1] 中国电子科技集团公司第五十八所
关键词
EEPROM; 页写; 数据保护;
D O I
10.16257/j.cnki.1681-1070.2009.03.012
中图分类号
TP333 [存贮器];
学科分类号
081201 ;
摘要
文章通过对电可擦除可编程只读存储器工作原理的研究,掌握了该存储器的设计技术和工艺加工技术,特别是关键模块(如软硬件数据保护、页写、全片擦除等)的设计技术,在此基础上研制了一种存储容量为64kB的EEPROM。64kB EEPROM的特殊结构保证了电可擦除可编程存储器的高性能和可制造性;器件利用内部错误诊断来增强数据的耐久性,同时改进了数据的保存特性;同时可选择的软件数据保护机制用于预防误写入。有关方面研究工作将对后续同类产品的研制起到积极的作用。
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页数:4
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共 2 条
[1]  
电可改写非挥发存储器.[M].于宗光;郝跃著;.国防工业出版社.2002,
[2]  
闪速存储器用户指南.[M].[美国英特尔公司](Intel)编;徐秉椿等译;.电子工业出版社.1997,