LD泵浦Nd∶GdVO4/GaAs被动调Q激光器研究

被引：7

作者：

杜晨林

阮双琛

于永芹

秦连杰

邵宗书

孟宪林

机构：

[1] 深圳大学工程技术学院,深圳大学工程技术学院,深圳大学工程技术学院,烟台大学环境工程与材料学院,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室深圳,深圳,深圳,天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津,烟台,济南,济南

来源：

光子学报 | 2004年 / 07期

关键词：

半导体激光器泵浦; Nd∶GdVO4晶体; GaAs; 被动调Q;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN24 [激光技术、微波激射技术];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4 晶体 ,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜 ,实现了 1.0 6 μm激光的被动调Q运转在泵浦功率为 13.9W时 ,获得最高平均输出功率为 3.6W ,脉冲宽度为 2 5 2ns ,单脉冲能量为 2 7μJ以及峰值功率为 10 7W的激光脉冲

引用

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