IGBT结温及温度场分布探测研究

绝缘栅双极型晶体管I(GBT)采用传统的集总参数热路法只能得到一个平均结温,不能获得芯片表面的温度场分布,因此有必要开展结温探测及温度场分布研究。先在数值仿真软件ANSYS热仿真分析环境里采用有限单元法(FEM)得到模块温度场分布,利用红外热成像仪探测IGBT模块芯片表面结温,获得了结温瞬态温度场分布,分析了结温温升及温度场分布特征,可知高温区域出现在芯片边缘及引线键合焊点处。以上分析对研究该类电力电子器件工作结温温升和芯片表面温度分布及散热设计具有较高的指导价值。