共 1 条
富硅氮化硅/c-Si异质结中的电流输运机理研究
被引：3
作者：
丁文革
桑云刚
于威
杨彦斌
滕晓云
傅广生
机构：
[1] 河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室
来源：
关键词：
对靶磁控溅射;
富硅氮化硅;
异质结;
传输机理;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
采用对靶磁控溅射方法在p型晶体硅(c-Si)衬底上沉积n型富硅氮化硅(SiNx)薄膜,形成了富硅SiNx/c-Si异质结.异质结器件呈现出较高的整流比,在室温下当V=±2V时为1.3×103.在正向偏压下温度依赖的J-V特性曲线可以分为三个明显不同的区域.在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理,在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的,在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流(SCLC)传输机理为主.
引用
收藏
页码：484 / 489
页数：6
相关论文