学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
一种改善快速晶闸管 dv/dt、di/dt 耐量的方法
被引:1
作者
:
裴素华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
山东师范大学
裴素华
薛成山
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
山东师范大学
薛成山
赵善麒
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
山东师范大学
赵善麒
机构
:
[1]
山东师范大学
[2]
北京电力电子新技术研究开发中心
来源
:
电力电子技术
|
1997年
/ 03期
关键词
:
掺杂,电流上升率,电压上升率,快速晶闸管;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN342.6 [];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
分析了借助镓高斯函数浓度分布改善快速晶闸管dv/dt、di/dt耐量的机理,并给出实验结果。
引用
收藏
页码:84 / 86
页数:3
相关论文
共 1 条
[1]
晶闸管的设计与制造.[M].(英)泰勒(Taylor;P.D.)著;庞银锁译;.中国铁道出版社.1992,
←
1
→
共 1 条
[1]
晶闸管的设计与制造.[M].(英)泰勒(Taylor;P.D.)著;庞银锁译;.中国铁道出版社.1992,
←
1
→