SOI高温压力传感器的研究

被引：22

作者：

张书玉 ^{[1
]}

张维连 ^{[1
]}

索开南 ^{[1
]}

牛新环 ^{[1
]}

张生才 ^{[2
]}

姚素英 ^{[2
]}

机构：

[1] 河北工业大学半导体材料研究所

[2] 天津大学电子信息工程学院

来源：

传感技术学报 | 2006年 / 04期

关键词：

压力传感器; SOI; 灵敏度; 有限元;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP212.1 [物理传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高。

引用

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