Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响

被引：4

作者：

缪国庆

金亿鑫

蒋红

周天明

李树玮

元光

宋航

机构：

[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

[2] 中国科学院长春光学精

来源：

半导体光电 | 2002年 / 04期

基金：

国家自然科学基金重点项目;

关键词：

铟镓砷; Ⅴ/Ⅲ比; 低压金属有机化学气相沉积;

D O I：

10.16818/j.issn1001-5868.2002.04.015

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

介绍了利用LPMOCVD技术在InP衬底上生长In0 .53 Ga0 .4 7As材料 ,获得表面平整、光亮的In0 .53 Ga0 .4 7As外延层。研究了Ⅴ /Ⅲ比对表面形貌、结晶质量、电学质量的影响。在Ⅴ /Ⅲ比较低时 ,表面粗糙 ,要获得镜面状的表面形貌 ,Ⅴ /Ⅲ比必须大于 4 0。Ⅴ /Ⅲ比对外延层结晶质量有影响。迁移率和本征载流子浓度随着Ⅴ /Ⅲ比的增加而增大。

引用

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